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SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应
孙钰琨; 白波; 马美玲; 王洪伦; 索有瑞; 谢黎明; 柴禛
2019
Volume33Issue:12Pages:1975-1982
Abstract以氧化钼(MoO_3)、硫(S)和氯化铌(NbCl_5)作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO_2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS_2薄膜结构。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征可知薄层具有较好的连续性,同时使用拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)和X射线光电子能谱(XPS)证实了掺杂后薄膜内部出现高达90 meV的蓝移现象。将薄膜制成场效应管(FET),并对其电学性能进行测试得出,场效应迁移率为1.22 cm~2·V~(-1)·s~(-1),电流开关比为10~5,并证实了当Nb掺杂入MoS_2薄膜后使得薄膜整体阻抗大幅降低,整体阻抗降低到66.67 kΩ,比未掺杂Nb的MoS_2薄膜降低了约40%。本工艺操作简单、成本低、重现率高,为制备高质量、大面积过渡金属掺杂的MoS_2薄膜光电学器件提供了新的途径。
Keyword二维薄膜材料 过渡金属硫化物 化学气相沉积法(CVD) 拉曼光谱 光致发光光谱 场效应晶体管
Document Type期刊论文
Identifierhttp://210.75.249.4/handle/363003/60074
Collection中国科学院西北高原生物研究所
Affiliation1.长安大学旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室
2.中科院西北高原生物研究所
3.国家纳米科学中心中国科学院纳米标准与检测重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
孙钰琨,白波,马美玲,等. SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应[J],2019,33(12):1975-1982.
APA 孙钰琨.,白波.,马美玲.,王洪伦.,索有瑞.,...&柴禛.(2019).SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应.,33(12),1975-1982.
MLA 孙钰琨,et al."SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应".33.12(2019):1975-1982.
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